描述：

集萃中科光電光譜橢偏儀SE-200是一款自主研發的光學測量設備，專為高精度、高效率的材料光學特性分析而設計。它能夠自動快速、準確地測量材料的折射率、消光系數和膜厚，適用于科研、半導體、光伏、光學鍍膜、顯示面板等領域的薄膜與材料表征需求。

?產品?功能：

折射率測量

精確測定材料在不同波長下的折射率，為光學設計及材料研究

提供關鍵數據。

消光系數測量

分析材料的光吸收特性，助力光電器件性能優化。

膜厚測量

支持納米至微米級薄膜的厚度檢測，分辨率高，重復性好。

快速自動測試

具備多點自動掃描功能，測量速度達1秒/點，大幅提升

批量檢測效率。

產品特點：

光學系統  用以采集全波段內的原始橢圓偏振參數Psi&Del

入射角度：65°；

光束偏離：＜0.3°；

測量參數： Psi&Del、TanPsi&CosDel；Alpha&Beta；

偏振器：格蘭-湯姆森；

材質:  α-BBO；

補償器：四分之一波長相位延遲，超消色差；

光強選擇：線性光密度光選。保證測試過程中較佳信噪比，提升測試精度；既防止光 強過強引起的光強截止，又防止光強不夠引起的信噪比過低，影響測試精 度；

光路設計：偏振光學主體由雙光纖連接至光源及光譜儀系統；光路穩定，且方便更換 壽命到期的燈泡；

光纖：抗紫外鈍化；NA=0.22；孔徑600μm，增加抗靜電套圈；

微細光斑：直徑≤200μm，達到分離透明及半透明襯底前后表面光斑的效果；微細 光斑裝置可自由拆卸；

出射狹縫：150μm，用以分離透明及半透明襯底的后表面無效光；

高效鏡組：配置紫外滲透高效收光鏡組。

光譜采集  背照式TE制冷CCD光纖譜儀，讀取全波段光強數值

檢測單元：2048元快速背照式CCD探測器，狹縫25微米或50微米；

具體參數：A.光譜范圍優于350nm-1000nm；

B.雜散光＜0.02%@400nm；

C. 信噪比4800:1；

D. 動態范圍50000:1；

E. 全息光路；

F. 數字分辨率16-bit；

G. 讀取速度>400kHz；

H. 數據傳輸速度600MB/s；

I. 最小積分時間/調節步長6 us /1us；

J. 外觸發延遲95ns+/-20ns；

K. 計算機接口USB3.0；

L. 操作系統Win7/Win10；

紫外區平均量子化效率：背照式CCD，平均量子化效率≥75%；

冷卻系統 微型TE制冷，制冷溫度可達環境下溫度30℃，制冷溫度可通過軟件設置；

積分方式：軟件智能化設置積分時間，以較佳信噪比獲得高強度信號和弱信號；

儲存空間：具有EEPROM 64組光譜數據存儲空間，可由光譜儀單獨存儲后一次性 輸入計算機，減少單次傳輸過程時間損耗；

線性矯正：具有光譜全域線性矯正功能，線性矯正因子可由軟件讀出，在非線性光譜 區亦保證較高的光譜線性度；

抗靜電：增加抗靜電干擾配置。

光源系統  鹵素光源

燈源體：光源系統，燈泡材質石英玻璃，波長范圍350nm-2000nm，

光源質保：10000小時；

電源：鹵素光源獨立電源；

電壓：4.95v；

散熱：能自燈源體均勻散熱。不會因散熱不暢引起燈泡體溫度過高影響使用壽命，又不會因散熱不均影響光強漂移。

全自動多點移動測試  可自動多點移動測試，移動方式為X-Y(X-Theita極坐標可選)形移動，含Z軸自動對焦，將試片自動對焦至較佳測量位置

點數可設置： 如1，3，5，9，16，25…100點；

位置限定：具有正負極限位置及零位光耦；軟件設定對焦起始結束位置及對焦位移步 長；

對焦方式：光學對焦；采集特殊積分時間及特殊波長下的垂直Z向移動對應的光強 曲線，利用高斯擬合，尋找較佳試片測量位置；

載物臺面： 適用于較大12英寸規格的硅片測試，向下兼容，尋邊低于3mm。

測量分析軟件  適用于Windows11操作系統（正版）；圖形化操作界面，軟件操作方便、直觀

一鍵測量：能一鍵測量 (完成包括對焦，光選，采集，分析在類)的全部測量流程。另外提供對焦、光選、采集、建模、回歸等分步功能按鈕；

軟件建模：包括EMA，Dispersion，Grade，Roughness等；

復雜建模：包括Sellmeier(2)、Sellmeier(3)、Cauchy(n,k)、Cauchy(epsi)、 ModifCauchy(n,k)、Drude、IRTail、Lorentz、Gauss、CriticalPoint等復 雜理論建模模型，且使用簡單清晰；

折射率垂直梯度分析：包括對折射率垂直梯度的分析；

粗糙度分析：包括對鍍膜膜層界面粗糙度的分析；

膜層分析：可進行單層及多層膜分析顯示，分析膜層數不受限制；

波長范圍及波長數目：可自定義分析波長范圍及波長數目；

修正模型及擬合：用戶可自定義修正模型和擬合參數；

數據庫： 提供便于使用、用戶可擴展（自定義）的材料數據庫及模型數據庫；

波長顯示：光譜能以能量及波長單位顯示；

輸出結果：擬合出所測薄膜厚度, n&k常數;

MES：支持MES功能；

具有三級權限：OperationMode、EngineerMode、SyscosMode。

測試與分析性能

速度：單點約1秒；49點約1分30秒；

波長范圍：350nm-1050nm；

膜厚顯示精度：0.1 ? (For 100nm SiO2)；

折射率顯示精度：1x10-3 (For 100nm SiO2)；

膜厚重復性精度：0.1? (Std，10次，For 100nm SiO2，)；

折射率重復性精度：1x10-3(Std，10次， For 100nm SiO2)；

厚度范圍：0.1nm - 10000nm；

膜厚精度：0.3nm（跟標準片標定值差異）；

折射率精度：0.003（跟標準片標定值差異）。

控制系統

運動控制：7軸；

實時系統：含外觸發及軟件自觸發；

校準歸零：起偏器P、補償器C、檢偏器A、光選器F、對焦軸Z、移動軸XY有自歸零位置校準功能，同時對偏振態控制器配置高精度對對編碼位置鎖定器，具有帶隙補償功能。

光譜橢偏儀SE-200